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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。

AP Memory提供以客戶為中心的內(nèi)存解決方案。從標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備到完全定制的設(shè)備，提供的產(chǎn)品PSRAM,DSRM和供應(yīng)鏈均受客戶要求的驅(qū)動。

自成立以來，已經(jīng)運(yùn)送了數(shù)十億其他存儲設(shè)備，包括超過50億KGD設(shè)備。

AP Memory總部位于臺灣，并在臺灣證券交易所上市。主要研發(fā)部門位于日本，美國和大中華地區(qū)。銷售地點遍布全球。2017年，標(biāo)準(zhǔn)DRAM供應(yīng)商Zentel Electronics成為AP Memory的一部分。產(chǎn)品廣泛用于NBIoT終端設(shè)備，智能家居網(wǎng)關(guān)，智能電表，LTE Cat 1 / M調(diào)制解調(diào)器，傳感器，可穿戴等.

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