DRAM利用電容儲(chǔ)存電荷多少來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，需要定時(shí)刷新電路克服電容漏電問(wèn)題，讀寫(xiě)速度，常用于容量大的主存儲(chǔ)器，如計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器內(nèi)存等。

 

    MRAM與使用電子電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器不同，MRAM 使用磁性元件來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。它使用電子自旋，與電荷不同的是，電子自旋本質(zhì)上是永久的。MRAM結(jié)合了SRAM的速度、DRAM的密度和閃存的非易失性，因此通常被稱(chēng)為理想存儲(chǔ)器。

 

    DRAM隨著單元尺寸的不斷減小、集成密度的增加和帶寬的改進(jìn)而不斷發(fā)展，同時(shí)隨著移動(dòng)設(shè)備變得越來(lái)越普遍而追求低功耗。然而，DRAM 作為基于電荷的存儲(chǔ)器也有其缺點(diǎn)。即使在不工作時(shí)，它也需要不斷刷新以彌補(bǔ)隨著時(shí)間的推移而損失的電量，這會(huì)導(dǎo)致待機(jī)功耗。此外，隨著集成密度的增加，存儲(chǔ)單元之間的干擾也會(huì)增加，這使得繼續(xù)擴(kuò)展 DRAM 變得極具挑戰(zhàn)性。這就是 MRAM 的用武之地。這種類(lèi)型的存儲(chǔ)器基于 MTJ 處單位單元的電阻變化。由于它使用“旋轉(zhuǎn)”而不是電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此它幾乎可以無(wú)限期地保留信息，并且不需要備用電源。這種架構(gòu)可以減少存儲(chǔ)設(shè)備的總功耗，從而實(shí)現(xiàn)高能源效率。


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