作為僅次于動態存儲器（DRAM）市場的存儲器產品，近幾年閃存芯片在全球消費電子和通信產品如數碼相機、平板電腦、手機、便攜式音樂播放器等帶動下，市場規模持續增長。然而閃存芯片的兩大類NAND Flash和NOR Flash卻經歷著不同的命運：前者市場盡管經歷了多年跌宕起伏，但仍保持快速增長態勢，未來前景可期；后者市場規模近年來則持續萎縮。 2012年，受終端消費產品低迷、閃存產能過剩等因素的影響，全球閃存芯片市場銷售額出現7%以上的負增長。然而得益于本土消費電子產品市場的穩步發展，中國閃存芯片市場略有下降。 隨著移動互聯網的快速發展，近年來國內相繼崛起了一批優秀IC設計企業，如展訊、銳迪科、格科微等，目前也有本土企業抓住機遇涉足閃存芯片市場。

一、國內市場波動成長，產品結構加劇調整 作為全球最重要的電子產品制造基地之一，近幾年中國對閃存芯片的需求保持快速增長的態勢。

 

     2012年，在全球金融低迷導致的消費電子產品需求下降、閃存產能過剩等負面因素的影響下，中國閃存芯片市場規模略微下降1.0%。形成這種局面的主要原因，除了電子整機需求低于預期外，2012年閃存產品單價大幅下降也是導致市場規模下滑的重要原因。 從產品結構來看，中國NAND Flash市場與去年基本持平，市場規模達633.7億元。根據存儲單元的不同，NAND Flash目前可以分為Single Layer Cell（SLC）、Multi-Level Cell（MLC）和Triple-Level Cell（TLC）三類，產品價格依次遞減。短時間內MLC仍會是主流產品，SLC將繼續在企業級、服務器市場領域存活；隨著TLC性能的提升，其將成為未來中低端領域NAND Flash的主要產品。2012年SLC、MLC、TLC市場銷售額分別為39.9億元、447.4億元、146.4億元。

     同時，NOR Flash市場出現10%以上的萎縮，市場規模達74.9億元。按NOR Flash接口方式分為Serial Flash（串口）和Parallel Flash（并口），2012年市場銷售額分別為29.7億元、45.2億元。由于在大容量存儲方面并無優勢，近年來NOR Flash產品的容量規格基本穩定。手機和筆記本電腦等傳統高利潤的市場應用，逐漸被低容量的NAND Flash所替代。與此同時，新興下游整機市場的帶動效應乏力，中國NOR Flash市場同全球市場一樣正經歷著衰退期。此外，性價比更高的Serial Flash也在逐步替代Parallel Flash，這在一定程度上也拖累了整個市場銷售額的增長。 未來3年，在中國消費電子制造快速恢復和本土市場的穩定增長等有利因素的影響下，中國閃存市場將重回平穩增長的態勢，市場規模將持續擴大。智能手機、平板電腦、固態硬盤仍將是帶動閃存市場增長的主要動力，同時隨著閃存技術的不斷進步，價格會持續走低，單顆芯片容量會越來越大，使用的領域會逐漸拓展，智能電視、汽車電子以及儀器自動化等領域將成為閃存市場新的增長點。預計到2015年，中國閃存市場有望超過1000億元。

二、企業之間競爭加劇，先進制程極為關鍵 NAND Flash市場近幾年的急速擴張，給行業帶來了巨大波動。

    
?       先是瑞薩（Renesas）的黯然離場，將技術轉讓給力晶（Powerchip）；接著是奇夢達（Qimonda）的快速破產；然后是英特爾（Intel）和意法半導體（ST Microelectronics）將動態隨機存儲器（DRAM）和閃存業務合并成立新公司恒憶半導體（Numonyx），可惜好景不長，最后被美光（Micron）收購，并且美光與英特爾在NAND Flash領域深入合作，共同投資建廠；2011年7月東芝（Toshiba）宣布與閃迪（Sandisk）共同投資新的制造廠房“Fab5”已經竣工并投產；2012年4月，三星宣布在西安建設閃存芯片工廠，項目總投資300億美元，預計建成后月產能達10萬片，此外，還加大京畿道華城16產線的投資，提高2012年投資額到47.8兆韓元。 與此同時，2012年NAND Flash廠商工藝線程紛紛達到20nm，未來積極布局1Xnm級別。這些行業巨頭通過不斷擴大產能、提高技術實力、降低芯片價格等手段來搶占行業制高點，競爭激烈程度可見一斑。 表1 2008-2013年全球主要NAND Flash廠商工藝進展 。

    在NOR Flash領域，由于產品在大容量和先進制程方面與NAND Flash難以形成有效競爭，因此部分企業一方面繼續追求先進制程，另一方面為了尋找一線生機，謀求跨入新的領域，開拓新的市場，積極進入低密度NAND Flash市場。 隨之而來的是全球NOR Flash市場日趨激烈的競爭，行業內企業兼并重組乃至申請破產的事件層出不窮。繼2010年美光收購恒憶半導體后，2012年美商芯成ISSI收購臺系NOR Flash供應商常憶，Adesto Technologies也宣布收購Atmel的Serial型NOR Flash晶片業務。

 

三、找準產品市場定位，實現本土企業崛起 目前，由于智能手機、閃存卡、平板電腦和超極本應用大量的NAND Flash，導致三星、東芝、美光等國際大廠紛紛轉向高容量的NAND Flash產品。
    
        而飛索（Spansion）、旺宏（Macronix）、華邦（Winbond）也由NOR Flash業務拓展至低密度NAND Flash業務，同時，2012年三星宣布退出NOR Flash業務無疑給這個市場蒙上陰影。總之，國際大廠依靠技術、資金、產能等多方面的優勢把控著閃存市場和產品趨勢。 進軍中高端市場資金、技術、人才等因素困難重重，傳統的NOR Flash市場又逐漸萎縮，面對閃存芯片市場的激烈變化，國內企業將如何應對呢？面對實力的差距，如何做一個競爭場上的智者呢？ “欲占大路，先取兩廂”。“大路”就是以新技術、新工藝所驅動的高端閃存芯片市場，如大容量的NAND Flash市場；“兩廂”就是利潤薄、品種多、應用領域分散的市場，如NOR Flash市場。 由于國際大廠閃存技術發展迅速，產品更新換代很快，為了發展需要，常常會停掉一些對他們來說利潤薄弱的落后產品線（如NOR Flash產品），而中國仍有大量使用中低端閃存的整機企業，這給本土芯片企業帶來了很好的切入機會。 兆易創新就是這樣一家本土閃存芯片企業，該企業抓住國際大廠逐步退出NOR Flash整體市場的機遇，積極拓展市場和行業應用；同時順應NOR Flash市場由并口轉為串口的產品和技術變革趨勢，推出技術領先產品。公司連續推出一系列大容量及低壓的Serial NOR Flash產品，涉及包括USB Key、DVD、數字機頂盒、手機、路由器等傳統行業應用以及智能電視、工業控制等新興的行業應用，取得了國內整體NOR Flash市場第四的優異成績，而排名前三位就是美光、飛索以及旺宏等國際大廠，并且在有良好發展前景的Serial Flash國內細分市場中排名第一，市場份額仍在不斷的擴大，成功地取得“兩廂”。然而，公司并沒有滿足NOR Flash市場給他們帶來的穩定收入，他們的目標是占領“大路”。公司投入大量的人力和資金積極開發低容量的NAND Flash，努力地縮小與國際大廠之間的差距，在NAND Flash芯片市場中伺機尋求機會。

 

       兆易創新存儲芯片的工藝技術并沒有比國際大廠先進，但是他們認清市場競爭格局，找準產品定位，先占領國際大廠放棄的“兩廂”，從而獲得企業存在的契機，再劍指目標――“大路”。 由此及彼，在如此全球化的激烈競爭中，中國IC設計企業在資金、技術、人才明顯處于劣勢的條件下，如果一味地與國外巨頭追求高性能，很容易在創業初期由于資金的大量投入無果，導致最后資金鏈斷裂而破產。國內企業應該揚長避短，先集中精力于中低端市場，依靠龐大的消費者群體，逐步提高市場占有率，將中低端產品做好做精，培養品牌信任度與美譽度，并認真積累技術、資金、人才等，再以實力徐圖發展高端產品。協調好眼前利益與長遠利益，蹲下去是為了跳得更高。