Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）的公共半導(dǎo)體公司，其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。 MRAM具有類似于標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲器（RAM）的性能特征，同時還具有非易失性存儲器的持久性，這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源，它不會失去其電荷或數(shù)據(jù)。 這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應(yīng)用，如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應(yīng)用。

Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16ACMA35，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍-40℃ to +85℃，屬于工業(yè)級芯片，具有高可靠性以及有無限的寫入周期及35ns讀寫時間和SRAM接口時序。典型的應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動化和機(jī)器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統(tǒng)。

以下容量為1Mb的并口MRAM芯片型號參考：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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