首先我們解釋一下FRAM是什么。FRAM是電子元器件中的一種半導(dǎo)體產(chǎn)品。半導(dǎo)體產(chǎn)品有微處理器、邏輯器件、模擬器件、存儲(chǔ)器件等各種器件。
 
FRAM是DRAM和閃存等存儲(chǔ)設(shè)備之一。FRAM代表鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它也被稱為鐵電存儲(chǔ)器，因?yàn)樗褂描F電元件來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。下面富士通代理英尚微介紹關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性。

?四種FRAM特性
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
 
通過四大特性，F(xiàn)RAM可以滿足客戶對存儲(chǔ)設(shè)備的要求，例如獲取更多數(shù)據(jù)和保護(hù)寫入數(shù)據(jù)。

?與其他內(nèi)存的比較
表1顯示了與其他可替換為FRAM的EEPROM、閃存、SRAM存儲(chǔ)設(shè)備的比較。

 
FRAM比非易失性存儲(chǔ)器的EEPROM和Flash存儲(chǔ)器具有更好的“保證寫入周期”和“寫入周期時(shí)間”特性。雖然SRAM需要數(shù)據(jù)備份電池來保存數(shù)據(jù)，但FRAM不需要它，因?yàn)樗欠且资源鎯?chǔ)器。
 
由于上述原因，F(xiàn)RAM相對于其他傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備具有優(yōu)勢。
 
?FRAM特性ー高讀/寫耐久性
首先是“高讀/寫耐久性”。
 
“高讀寫耐久性”意味著內(nèi)存可以多次讀寫數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)字越高，您可以讀寫的數(shù)據(jù)就越多。
 
FRAM保證最多10萬億次寫入，相當(dāng)于EEPROM的100萬次寫入100萬次。雖然一些新的EEPROM可以保證400萬次寫入，但與FRAM的數(shù)字差異仍然很大。
 
10萬億次寫入意味著您可以在很短的時(shí)間內(nèi)重寫數(shù)據(jù)，每0.03毫秒一次，連續(xù)10年。在正常使用情況下，這個(gè)值意味著幾乎無限，使用FRAM，您可以獲得比使用EEPROM更頻繁和準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。
 
通過使用具有這一優(yōu)異特性的鐵電存儲(chǔ)器，客戶可以高頻率和高精度地收集數(shù)據(jù)。因此客戶可以通過了解他們以前看不到的復(fù)雜數(shù)據(jù)曲線來了解數(shù)據(jù)的真實(shí)行為。
 
?FRAM特性ー快速寫入速度
接下來，我們繼續(xù)“快速寫入速度”。
 
FRAM中完成寫操作的時(shí)間比EEPROM短。這意味著鐵電存儲(chǔ)器具有更快的寫入速度。
 
EEPROM需要長達(dá)5ms的寫入時(shí)間，因?yàn)樵趯懭氩僮髦靶枰M(jìn)行耗時(shí)的擦除操作。而FRAM不需要這種擦除操作，只覆蓋數(shù)據(jù)，更簡單，因此寫入時(shí)間短至150ns，比EEPROM快33000多倍。通過這種快速寫入，即使突然斷電，也可以在斷電前完成寫入操作。
 
實(shí)際上我們使用我們的演示板進(jìn)行了100多次數(shù)據(jù)寫入失敗測試。結(jié)果它觀察到FRAM沒有寫入錯(cuò)誤，而EEPROM每3次測試就有一個(gè)寫入錯(cuò)誤。
 
即使通過該測試，我們也確認(rèn)即使在突然斷電的情況下，F(xiàn)RAM中也不太可能發(fā)生寫入錯(cuò)誤。
 
?FRAM特性ー降低功耗
第三個(gè)特點(diǎn)是“低功耗”。
 
當(dāng)我們專注于寫操作時(shí)，F(xiàn)RAM可以降低92%的功耗。這是因?yàn)镕RAM的寫入時(shí)間比EEPROM短很多。
 
差異取決于條件，但在非常頻繁的數(shù)據(jù)記錄下運(yùn)行時(shí)，F(xiàn)RAM有助于降低客戶最終產(chǎn)品的功耗。
 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，不需要像SRAM那樣的數(shù)據(jù)保持電流。因此客戶將不再需要將SRAM替換為FRAM的數(shù)據(jù)備份電池。
 
 
本文關(guān)鍵詞： 鐵電存儲(chǔ)器

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