隨著汽車的電子化，對滿足汽車惡劣駕駛環(huán)境、快速耐用的非易失性解決方案的需求正在逐漸增加。MRAM具有近乎無限的耐久性及高可靠性，是能夠滿足電子應(yīng)用程序中這種市場需求的非易失性存儲器，最為理想。
 
    MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM是汽車應(yīng)用的理想選擇存儲芯片,MRAM具有快速且不易失的特點。實時監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實時寫入，而不需要負(fù)載均衡或ECC開銷。
 
    例如S3R4016V1M 4Mbit的STT-MRAM存儲芯片，MR2A16A提供與SRAM兼容的70ns讀/寫時序，具有無限的續(xù)航能力。數(shù)據(jù)在超過10年的時間內(nèi)始終是非易失性的。通過低電壓抑制電路在斷電時自動保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格時寫入。
 
    NETSOL STT-MRAM產(chǎn)品非常適合需要快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，因為STT-MRAM具有非易失性、幾乎無限的耐久性和快速寫入特性。可以取代低功耗SRAM、FeRAM或nvSRAM，具有相同的功能和非易失性。代理英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Everspin

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