一、基本參數(shù)與存儲特性
  MR25H10CDF該存儲器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技術(shù)，無需電池備份可永久保存數(shù)據(jù)。工作電壓1.7V - 3.6V，支持工業(yè)級溫度范圍（-40℃至+85℃），適合惡劣嵌入式應(yīng)用。存儲單元基于MTJ原理，有無限次讀寫壽命（>10¹?次），遠(yuǎn)超EEPROM的10?次擦寫限制，解決頻繁數(shù)據(jù)更新的存儲可靠性問題。

  二、接口與操作性能
  EVERSPIN MR25H10CDF采用SPI串行接口，支持標(biāo)準(zhǔn)、雙輸出、四輸出三種SPI通信模式，最高時(shí)鐘頻率80MHz。隨機(jī)讀取延遲低至25ns，寫入無需頁緩沖，單字節(jié)編程僅需50ns，較Flash縮短99%以上寫入等待時(shí)間。支持連續(xù)讀取，單次指令可快速傳輸多字節(jié)數(shù)據(jù)，最高吞吐量320Mbps（QuadSPI模式），滿足實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集的高速存取需求。

  三、封裝與應(yīng)用場景
  提供8引腳SOIC（150mil）和DFN（6×5mm）兩種封裝，兼容現(xiàn)有SPI存儲器PCB布局。典型應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車ECU、智能儀表、醫(yī)療設(shè)備等需高可靠性、低功耗、快速讀寫的嵌入式系統(tǒng)。較EEPROM，寫入速度提升200倍；對比NORFlash，消除擦除延遲，適用于頻繁記錄日志和動態(tài)更新配置參數(shù)的場景。

  四、關(guān)鍵優(yōu)勢總結(jié)
  1. 性能突破：納秒級寫入與無限次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器性能瓶頸。
  2. 可靠性保障：非易失存儲、寬溫設(shè)計(jì)和ESD防護(hù)，適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。
  3. 低功耗特性：微安級待機(jī)電流，延長電池供電設(shè)備續(xù)航。
  4. 兼容性設(shè)計(jì)：SPI接口與封裝引腳兼容，可直接替換升級。
  5. 成本優(yōu)化：比FRAM性價(jià)比高，提供1Mbit經(jīng)濟(jì)方案。
 
  目前，英尚微電子EVERSPIN的MR25H10CDF有現(xiàn)貨。該產(chǎn)品屬M(fèi)RAM系列，具備非易失、高速讀寫、高耐久性等特性，適用于對數(shù)據(jù)存儲可靠性和實(shí)時(shí)性要求高的領(lǐng)域。有采購需求洽英尚微電子原裝正品及技術(shù)支持。


本文關(guān)鍵詞：MR25H10CDF,MRAM,EVERSPIN

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