當(dāng)我們觀察電子產(chǎn)品近些年的演進(jìn)歷程時(shí)，我們會(huì)注意到一個(gè)重要趨勢(shì)：每一代設(shè)備的尺寸越來越小，而性能卻保持不變甚至升高。這種縮小現(xiàn)象可以歸因于以下事實(shí)：電路板上的每個(gè)組件都在變小，從而造成了這樣的總體效果。早在1965年，高登·摩爾就在他著名的摩爾定律中預(yù)測(cè)了電路的縮小趨勢(shì)。但是，這個(gè)縮小趨勢(shì)并未發(fā)生在所有類型的電路中。例如，邏輯電路比SRAM電路縮小了很多倍。這造成了一個(gè)棘手的問題：即嵌入式SRAM開始占據(jù)90%的控制器空間。嵌入式SRAM的有限縮小還阻止了控制器以相應(yīng)于邏輯區(qū)域的程度縮小。因此，成本(與晶粒面積成正比)的降幅并未達(dá)到應(yīng)有的程度。由于處理器/控制器的核心功能由邏輯區(qū)執(zhí)行，將嵌入式SRAM移出芯片并以外置SRAM取而代之開始具有意義。

此外，可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的迅猛發(fā)展也是這一趨勢(shì)的推動(dòng)因素。與其它任何設(shè)計(jì)要求相比，這些設(shè)備最注重小巧的設(shè)計(jì)。因此，最小的MCU適合此類電路板，鑒于上述原因，這個(gè)“最小的MCU”極有可能不搭載一個(gè)嵌入式緩存。同樣，它也可能沒有太多的引腳。

所有這些發(fā)展趨勢(shì)都指向一個(gè)要求：一個(gè)小巧、能夠只扮演緩存的角色、并能使用最小數(shù)量的引腳相連的外置SRAM。串口SRAM就是專為滿足這個(gè)要求而量身定做的。存儲(chǔ)器在高速性能并非最重要因素的其它存儲(chǔ)器(DRAM、閃存等)中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口。由于存在需要SRAM的應(yīng)用，串口SRAM在SRAM市場(chǎng)中一直處于小眾地位。在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案。

       如Vilsion Technology 公司推出的 64Mbit （8MB）SPI 接口的SRAM芯片VTI7064，采用四線qual SPI 模式，即數(shù)據(jù)位的傳輸采用一次傳四位的模式，此時(shí)的主頻可高達(dá)133MHz，這款的特點(diǎn)就是引腳少，SOP8封裝。這樣需要對(duì)外的連線就很少，絕大部分單片機(jī)ARM都可以方便外擴(kuò)RAM。

       應(yīng)用用途，比如： 可以連續(xù)、高速采樣長時(shí)段的信號(hào)數(shù)據(jù)（如紅外線或邏輯分析電平），存儲(chǔ)器滿了，再發(fā)送給其他芯片或PC，這樣采樣到的數(shù)據(jù)就是連續(xù)的。

本文關(guān)鍵詞：串口sram

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