Nor Flash發(fā)展過(guò)程中的問(wèn)題
2018-04-12 15:12:37
過(guò)去一年，Nor Flash的價(jià)格飛漲和前景被大眾普遍看好，讓大家對(duì)編碼式存儲(chǔ)器重燃了信心，包括兆易創(chuàng)新和旺宏在內(nèi)的眾多廠商在去年也從中掙到盤(pán)滿(mǎn)缽滿(mǎn)。在很多人看來(lái)，這種略顯古老的產(chǎn)片沒(méi)啥技術(shù)含量，但從Nor Flash的發(fā)展前景看來(lái)，還是面臨著各種各樣的困難和挑戰(zhàn)。
根據(jù)Nor Flash的原理，它是使用CHE來(lái)編碼，然后使用FN Tunning 來(lái)擦除，而電荷注入機(jī)制對(duì)這兩個(gè)因素的印象很大，下面分別看一下其考量和解決辦法：
首先看CEH。據(jù)了解，CHE的注入對(duì)編碼速度和lg有明顯的提升，同時(shí)能夠擴(kuò)大對(duì)離子化率的影響（高橫向電場(chǎng)），還能影響收集效率（高垂直電場(chǎng)）。但對(duì)CHE來(lái)說(shuō)，如下圖所示，影響他們的因素也有很多。
因此，可以使用TCAD仿真來(lái)模擬CHE注入的影響，提高產(chǎn)品性能。
介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會(huì)受到各種因素的影響。
這時(shí)候使用MLC方案則能完美解決相關(guān)問(wèn)題。
對(duì)于Nor Flash來(lái)說(shuō)，我們還需要考慮一下可靠性的問(wèn)題。例如Over-Erase ，比如Nor Disturb，還有隧道氧化和可靠等問(wèn)題。這就需要一些很好的解決方法。另外，在微縮的過(guò)程中，Nor Flash還會(huì)面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問(wèn)題。
由上所述，Nor Flash從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，再到交付到客戶(hù)手中，要考慮其合格性、可靠性、保持性，同時(shí)還要經(jīng)過(guò)保持特性失效分析。經(jīng)過(guò)以上重重考驗(yàn)的NorFlash才能滿(mǎn)用戶(hù)對(duì)使用溫度（55度），斷電數(shù)據(jù)保持時(shí)間>10年，擦寫(xiě)次數(shù)>10萬(wàn)次等多方面的需求。
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