MRAM芯片MR0A16AVMA35

2018-06-13 15:41:04

MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲器。 MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspin擁有并運營著一條生產線，用于其磁性后端晶圓加工，采用鑄造廠生產的標準CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），Everspin目前的MRAM產品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術節點和行業標準封裝。

Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16AVMA35，由65,536字 x 16位構成，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍-40 to +105C，具有高可靠性以及有無限的寫入周期及35ns讀寫時間和兼容SRAM周期，引腳布局采用現有的SRAM控制器，無需重新設計在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失，用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統。35ns的快速讀/寫周期

產品型號參考如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

本文關鍵詞：Everspin

相關文章： Everspin MR0A16ACMA35 并行MRAM芯片

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC；著名半導體品牌的專業分銷商如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

更多資訊關注SRAMSUN. www.mirtm.com 0755-66658299

新聞資訊

MRAM芯片MR0A16AVMA35

2018-06-13 15:41:04

Tel